催化焚燒設(shè)備：多晶硅出產(chǎn)過(guò)程中需求什么樣的廢氣處理設(shè)備

 

在多晶硅的出產(chǎn)中，還會(huì)發(fā)作必定的廢氣和殘液，現(xiàn)在咱們的催化焚燒設(shè)備現(xiàn)已比較先進(jìn)，對(duì)曾經(jīng)的處理技能進(jìn)行了改善，現(xiàn)已達(dá)到了較高的水平。

 

　　多晶硅是太陽(yáng)能和微電子工業(yè)的要害原材料，跟著我***太陽(yáng)能工業(yè)的快速開(kāi)展，多晶硅的需求量也日積月累。現(xiàn)在，多晶硅工藝技能空前活潑。主要有西門(mén)子法、冶金法、等離子法、硅烷法、流化床法、熔鹽電解法、無(wú)氯工藝技能等。西門(mén)子法是經(jīng)過(guò)氣相堆積的方法出產(chǎn)柱狀多晶硅。為了進(jìn)步質(zhì)料使用率，在原基礎(chǔ)上選用閉環(huán)式出產(chǎn)工藝即改進(jìn)西門(mén)子法。改進(jìn)西門(mén)子工藝出產(chǎn)的多晶硅產(chǎn)能約占***際總產(chǎn)能的80%。

 

 

　　***內(nèi)外對(duì)西門(mén)子法制備高純多晶硅的研討較多。如張玉等人選用催化化學(xué)氣相堆積法制備多晶硅薄膜;美***M.M.Dahl等人研討了多晶硅在流化床中的微觀結(jié)構(gòu)和顆粒成長(zhǎng)。此外，多晶硅的出產(chǎn)技能還有碳熱復(fù)原法、區(qū)域熔煉法等。碳熱復(fù)原法是使用高純碳復(fù)原二氧化硅制取多晶硅，區(qū)域熔煉法是使用金屬定向凝結(jié)原理將金屬級(jí)硅提純到、太陽(yáng)能級(jí)硅的。

 

 

　　廢氣和殘液的處理

　　在多晶硅制備中有很多的廢氣和廢液發(fā)作，***內(nèi)***都單位一般先用水洗水解，然后經(jīng)過(guò)NaOH中和廢氣處理和殘液處理工序。

 

 

　　廢氣凈化

　　氯硅烷別離提純工序各精餾塔***排放的含氯硅烷、氮?dú)獾膹U氣，及含氯硅烷、氫氣、氮?dú)?、氯化氫的多晶硅?fù)原爐置換吹掃氣和多晶硅復(fù)原爐事端排放氣等，被送進(jìn)尾氣洗刷塔組，用水(鹽酸溶液)洗刷，廢氣中的氯硅烷與水發(fā)作以下反響而被除掉：

　　SiHCl3+2H2O=SiO2+3HCl+H2

　　SiCl4+2H2O=SiO2+4HCl

　　SiH2Cl2+2H2O=SiO2+2HCl+H2

　　出尾氣處理塔***含有氮?dú)夂蜌錃獾膹U氣經(jīng)液封罐放空，出尾氣處理塔塔底含有SiO2固體的鹽酸溶液用泵送入工藝廢料處理工序。